基于100 nm砷化镓pHEMT工艺的C波段宽带低噪声放大器芯片
后印本
C Band Broadband LNA MMIC in 100 nm GaAs pHEMT
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作者：
田洪亮
1
何美林
2
刘海文
1
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作者单位：
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提交时间：2023-08-02 10:59:04
摘要: 作为射电天文接收机系统的关键器件, 低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响. 采用100\;nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)\lk工艺, 研制了一款可覆盖C波段(4--8\;GHz)的低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA). 所设计的LNA采用3级共源级联放大拓扑结构, 栅极、漏极双电源供电. 常温下测试表明, 该LNA在4--8\;GHz频段内平均噪声温度为\lk60\;K, 在5\;GHz处获得最低噪声温度50\;K, 通带内增益(31\!\pm\!1.5)\;dB, 输入输出回波损耗均优于10\;dB, 芯片面积为2.1\!\times\!1.1\;mm^2, 可以应用于C波段射电天文接收机以及卫星通信系统等.
版本历史
| [V1] |
2023-08-02 10:59:04 |
ChinaXiv:202308.00107V1
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